Еще быстрее. Samsung анонсировала новое поколение модулей памяти для смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о создании первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR5 DRAM емкостью 8 Гбит.

Изделия предназначены для использования в смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения 5G, пишет DigiTimes. 

Новый модуль памяти 8Gb LPDDR5 выполнен по 10-нанометровому техпроцессу. Он имеет скорость передачи данных до 6 400 Мбит / с, что в 1,5 раза быстрее, чем мобильные чипы DRAM, используемые в современных флагманских мобильных устройствах. Новая память способна передавать до 51,2 ГБ данных в секунду.

Чтобы максимизировать экономию энергии, LPDDR5 класса 10нм был спроектирован таким образом, чтобы понижать напряжение в соответствии с рабочей скоростью соответствующего процессора в активном режиме. Модуль также настроен таким образом, чтобы избежать перезаписи ячеек со значениями "0". Кроме того, новый чип LPDDR5 будет предлагать "глубокий режим сна", который сокращает потребление энергии.

"Благодаря этим функциям, 8Gb LPDDR5 DRAM обеспечит снижение потребления энергии до 30%, максимизируя производительность мобильных устройств и продлевая срок службы смартфонов", - говорится в заявлении Samsung.

Samsung планирует начать массовое производство линейки DRAM следующего поколения (LPDDR5, DDR5 и GDDR6) в ближайщее время, на фабриках компании в Пхентхэке.